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傳感器，尤其是MEMS器件的市場機(jī)遇也面臨著制造方面的挑戰(zhàn)，具體包括：

• 晶圓尺寸過渡：目前圖像傳感器制造使用的是300mm晶圓，而MEMS器件的制造將在不久的將來從小直徑晶圓轉(zhuǎn)移至300mm晶圓。所有晶圓制造廠都面臨邊緣不連續(xù)性的問題，而這個(gè)問題在晶圓尺寸提升至300mm后會(huì)更難解決。

  加工：MEMS和邏輯CMOS的晶圓加工是*不同的。在加工MEMS晶圓時(shí)，器件制造商可能需要用到雙面拋光晶圓、帶薄膜的空腔晶圓、需特殊傳動(dòng)的臨時(shí)鍵合晶圓、單晶圓清洗、結(jié)構(gòu)釋放刻蝕和斜面工程技術(shù)。

• 深度反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）：MEMS器件生產(chǎn)需要降低斜率、更好的關(guān)鍵尺寸和深度均勻性以及其他與集成和覆蓋相關(guān)的半關(guān)鍵刻蝕工藝。另外，對未來的MEMS制造來說，提升分辨率和生產(chǎn)率也非常重要。

  等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）的特殊要求：MEMS制造對沉積過程中的應(yīng)力控制有*的要求并可能需要低溫加工技術(shù)。

  壓電材料：有越來越多的壓電材料被用來實(shí)現(xiàn)MEMS器件的功能。但對于制造設(shè)備來說，這些材料屬于具有*特性和制造要求的新物質(zhì)。鉬（Mo）和鉑（Pt）等電極材料可用于避免在壓電層極化過程中產(chǎn)生不均勻的電場。

  晶圓尺寸的影響：任何刻蝕都要面臨邊緣不連續(xù)性以及由其導(dǎo)致的邊緣反應(yīng)物、鈍化和鞘層梯度。

腔室和晶圓之間的溫度差會(huì)導(dǎo)致溫度的不連續(xù)性，這種不連續(xù)性又會(huì)導(dǎo)致鈍化梯度。材料（或化學(xué)）的不連續(xù)性和反應(yīng)物梯度會(huì)導(dǎo)致化學(xué)物質(zhì)吸附速率出現(xiàn)差異。除溫度梯度以外，晶圓邊緣反應(yīng)物消耗量和副產(chǎn)物排放速率的變化也會(huì)導(dǎo)致吸附速率發(fā)生變化。在晶圓的邊緣，從偏置表面到接地或懸浮表面的變化也會(huì)導(dǎo)致等離子體殼層彎曲并進(jìn)而改變離子相對于晶圓的運(yùn)動(dòng)軌跡。

任何晶圓的刻蝕都涉及邊緣不連續(xù)性，而且隨著晶圓尺寸提升至300mm，這些問題對良率的影響會(huì)更為顯著。對300mm晶圓來說，外層8mm邊緣的表面積占比可達(dá)10％左右，即使是外層2mm邊緣也幾乎占據(jù)晶圓表面積的3％，依然具有不可忽視的影響

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